Lipirea cu carbură de siliciu (SIC) este un proces critic în fabricarea componentelor ceramice de înaltă performanță utilizate în industrii precum aerospațial, apărare, energie și electronică. Această tehnică creează conexiuni moleculare durabile între particule de carbură de siliciu sau substraturi, permițând o stabilitate termică excepțională, rezistență mecanică și rezistență chimică. Trei metode primare domină aplicațiile industriale: legarea de reacție, legarea de cataliză a hidroxidului și lipirea activă. Fiecare abordare abordează cerințele specifice de performanță în produsele finale, de la placarea armurilor până la substraturile semiconductoare.
Introducere în carbura de carbidare de siliciu (SIC) este un compus de siliciu și carbon, cunoscut pentru proprietățile sale fizice și chimice remarcabile. Este un material semiconductor care poate rezista la temperaturi și tensiuni ridicate, ceea ce îl face ideal pentru diverse aplicații. Materialul este produs în