Die SIC-Bindung (Siliciumcarbid) ist ein kritisches Verfahren bei der Herstellung von Keramikkomponenten für Hochleistungs-Karten, die in Branchen wie Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Energie und Elektronik verwendet werden. Diese Technik erzeugt haltbare molekulare Verbindungen zwischen Siliziumcarbidpartikeln oder Substraten, wodurch außergewöhnliche thermische Stabilität, mechanische Festigkeit und chemische Resistenz ermöglicht werden. Drei primäre Methoden dominieren industrielle Anwendungen: Reaktionsbindung, Hydroxidkatalyseverbindung und aktive Lötung. Jeder Ansatz befasst sich mit den spezifischen Leistungsanforderungen in Endprodukten, die von Rüstungsbeschichtung bis hin zu Halbleiter -Substraten reichen.
Die Einführung in Siliziumcarbidsilicon -Carbid (SIC) ist eine Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff, die für seine bemerkenswerten physikalischen und chemischen Eigenschaften bekannt ist. Es ist ein Halbleitermaterial, das hohen Temperaturen und Spannungen standhalten kann, was es ideal für verschiedene Anwendungen macht. Das Material wird in erzeugt in