အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထက်၌ရှိသောစက်မှုလုပ်ငန်းအသုံးပြုမှုသည်အဘယ်နည်း။

အကြောင်းအရာမီနူး

● နိမ့်သောအပူချိန်နိဒါန်း silicon carbide မှနိဒါန်း

● အပူချိန်နိမ့်သောအပူချိန် Silicon Carbide ၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများ

>>> 1 ။ အခြားရွေးချယ်စရာရှေ့တန်းသုံးခြင်းဖြင့် carbothermal လျှော့ချရေး

>>> 2 ။ Magnesiothermic လျှော့ချရေး

>>> 3 ။ မိုက်ခရိုဝေ့စ် - ကူညီ synthesis

>>> 4 ။ အစိုင်အခဲ - ပြည်နယ် metathesis နှင့်တိုက်ရိုက်နှောင်ကြိုး

>>> 5 ။ ပေါင်းသန်းနှင့်အတူနိမ့်အပူချိန် sintering

● အဓိကဂုဏ်သတ္တိများနှင့်အားသာချက်များ

● စက်မှု applications များ

>>> Metallurgy နှင့် smelting

>>> ပဒေသရာများနှင့် polishing

>>> အီလက်ထရောနစ်နှင့် semiconductors

>>> စွမ်းအင်နှင့်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ application များ

>>> 1 ။ Wave- စုပ်ယူပစ္စည်းများ

>>> 2 ။ ရေကုသမှုနှင့် filtration

>>> 3 ။ Catalysis နှင့်ဓာတ်ငွေ့အာရုံစူးစိုက်မှု

>>> အဆင့်မြင့်ကြွေထည်များနှင့် composites

>>> စစ်ရေးနှင့်ကာကွယ်ရေး application များ

>>> ဆောက်လုပ်ရေးနှင့်ဆောက်လုပ်ရေးပစ္စည်းများ

● ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာမှုများနှင့်ထွန်းသစ်စခေတ်ရေစီးကြောင်း

>>> စိုက်ပျိုးရေးစွန့်ပစ်ပစ္စည်းမှရေရှည်တည်တံ့သော SIC

>>> လေကြောင်းပစ္စည်းများအတွက်အလျင်အမြန်ဏ Microwave ပေါင်းစပ်

>>> catalysis နှင့်အာရုံများအတွက် nanostraftructure sig

>>> ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များသို့ပေါင်းစည်းမှု

>>> စမတ်ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် 3D ပုံနှိပ်ခြင်း

● စိန်ခေါ်မှုများနှင့်အနာဂတ်အလားအလာ

● ကောက်ချက်

● အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

>>> 1 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထုတ်လုပ်မှု၏အဓိကအားသာချက်များမှာအဘယ်နည်း။

>>> 2 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်သည်အီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းကိုမည်သို့အကျိုးပြုသနည်း။

>>> 3 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာဘန်းပေါင်းစပ်မှုအတွက်မည်သည့်ကုန်ကြမ်းအမျိုးအစားများကိုအသုံးပြုနိုင်သနည်း။

>>> 4 ။ အပူချိန်နိမ့်သော silicon carbide ကို အသုံးပြု. အဓိကစက်မှုလုပ်ငန်းကဏ် sectors များသည်အဘယ်နည်း။

>>> 5 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်သည်ပတ် 0 န်းကျင်ဆိုင်ရာ application များအတွက်အသုံးပြုနိုင်ပါသလား။

Silicon Carbide (SIC) သည်အလွန်တန်ဖိုးထားသောစက်မှုပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး၎င်း၏ခြွင်းချက်ခိုင်ခံ့မှု, အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့်ဓာတုလက်နက်ခုခံကာကွယ်မှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ အစဉ်အလာ, ၏ထုတ်လုပ်မှု ဆီလီကွန်ကာလက်သည် အလွန်မြင့်သောအပူချိန်ကို 2000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထက်တွင်အလွန်မြင့်သောအပူချိန်လိုအပ်သည်။ သို့သော်မကြာသေးမီကရုပ်ပစ္စည်းများသိပ္ပံနှင့်အင်ဂျင်နီယာလုပ်ငန်းများတွင်တိုးတက်မှုများသည်ဆီလီကွန်ကာဘက်၏ပေါင်းစပ်မှုနှင့်ပြုပြင်ခြင်းများကိုနိမ့်ကျသောအပူချိန်များဖြင့်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ဤအောင်မြင်မှုသည်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုနှင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုလျှော့ချရုံသာမကဖြစ်နိုင်ချေရှိသော application များ၏အကွာအဝေးကိုလည်းတိုးချဲ့ထားသည်။ ဤဆောင်းပါးတွင်ကျွန်ုပ်တို့သည်အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာဘကျ၏စက်မှုလုပ်ငန်းအသုံးပြုမှုကိုလေ့လာရန်, ၎င်း၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများကိုလေ့လာရန်, ၎င်း၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများကိုဆွေးနွေးရန်နှင့် Metordurgy, Electronics, စွမ်းအင်, သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ကာကွယ်စောင့်ရှောက်ရေးနှင့်အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုစသည့်ကဏ် sectors များအပေါ်အသွင်ကူးပြောင်းရေးအကျိုးဆက်များကိုမီးမောင်းထိုးပြသည်။

နိမ့်သောအပူချိန်နိဒါန်း silicon carbide မှနိဒါန်း

ဆီလီကွန်ကာလက်သည်ဆီလီကွန်နှင့်ကာဗွန်တို့မှဖွဲ့စည်းထားသောပေါင်းစပ်ထားသောဒြပ်စင်တစ်ခုမှာထူးခြားသောစက်မှု, အပူ, ဆီလီကွန်ကာဘက်ထုတ်လုပ်မှုအတွက် classic Acheson လုပ်ငန်းစဉ်သည်အပူချိန် 2500 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်လိုအပ်ပြီးစွမ်းအင်နှင့်အကုန်အကျများစေသည်။ သို့သော်ခေတ်မီနိမ့်သောအပူချိန်နိမ့်ကျသောပေါင်းစပ်မှုနည်းလမ်းများသည်အပူချိန်နှင့်လိုချင်သောထုတ်ကုန်ပုံစံပေါ် မူတည်. အပူချိန် 600-1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိနိမ့်နိုင်သည်။ အပူချိန်နိမ့်ရန်ဤပြောင်းလဲမှုသည်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကိုလျှော့ချရုံသာမကကာ Scrosires, hollow spheres များနှင့် porous ceram များကဲ့သို့သော sic morphologies အသစ်များဖြစ်သော SIC Morphologies ၏လုပ်ကြံလွှင့်စက်များနှင့်သမားရိုးကျနည်းလမ်းများနှင့်အောင်မြင်ရန်ခက်ခဲသည်။

အပူချိန်နိမ့်သောအပူချိန် Silicon Carbide ၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများ

1 ။ အခြားရွေးချယ်စရာရှေ့တန်းသုံးခြင်းဖြင့် carbothermal လျှော့ချရေး

shifite သို့မဟုတ်စိုက်ပျိုးရေးအလောင်းများကဲ့သို့သောသဘာဝဓာတ်သတ္တုများ (silica နှင့် carbon ကြွယ်ဝသော) ကိုအသုံးပြုခြင်းအားဖြင့် silicon carbide ကို 1500-1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် synthesized လုပ်နိုင်သည်။ Acheson လုပ်ငန်းစဉ်ထက်များစွာနိမ့်သည်။ ရရှိလာတဲ့အမှုန့်တွေဟာပဒေသရာဇ်တွေ, polishgical application တွေအတွက်သင့်တော်တယ်။

2 ။ Magnesiothermic လျှော့ချရေး

ဤနည်းလမ်းတွင်အပူချိန် 650 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်ကာဗွန်၏ရှေ့မှောက်၌ဆီလီနီယမ်ကိုပြန်လည်တုံ့ပြန်ခြင်းတွင်ပါ 0 င်သည်။ အဆိုပါလုပ်ငန်းစဉ်သည် Mesoporous carbide hollow sollowes များကို၎င်းတို့၏မျက်နှာပြင်မြင့်မားသောကြောင့် Catalysis နှင့်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာပြန်လည်ကုစားခြင်းအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

3 ။ မိုက်ခရိုဝေ့စ် - ကူညီ synthesis

မိုက်ကရိုဝေ့ဖ် sintering သည် SIC အမျှင်များနှင့်ပေါင်းစပ်မှုများကိုထုတ်လုပ်ရန်လိုအပ်သောပြုပြင်ခြင်းအပူချိန်နှင့်အချိန်ကိုသိသိသာသာလျော့နည်းစေသည်။ ဤစွမ်းအင်ထိရောက်သောနည်းစနစ်သည်အထူးသဖြင့်လေကြောင်းနှင့်မော်တော်ယာဉ်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောပစ္စည်းများလျင်မြန်စွာထုတ်လုပ်ရန်အလားအလာရှိသည်။

4 ။ အစိုင်အခဲ - ပြည်နယ် metathesis နှင့်တိုက်ရိုက်နှောင်ကြိုး

အစိုင်အခဲပြည်နယ်တုံ့ပြန်မှုများနှင့်အဆင့်မြင့်မျက်နှာပြင် activation Techniquotes များသည် crystalline activaterial technies များကိုဖွဲ့စည်းခြင်းနှင့်အပူချိန် 400 မှ 600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်ရှိနေသည်။ ၎င်းသည်အထိခိုက်မခံသောအီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများနှင့် mems အစိတ်အပိုင်းများကိုဖန်တီးရန်အထောက်အကူပြုသည်။

5 ။ ပေါင်းသန်းနှင့်အတူနိမ့်အပူချိန် sintering

Alumina နှင့် Boron အောက်ဆိုဒ်တို့ကဲ့သို့သော Sintering AIDS များအပြင် Silicon Carbide ကြွေထည်များကို 1100-1400 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ၎င်းသည် filtration နှင့် catalyst ပံ့ပိုးမှုအတွက်သင့်တော်သောအင်အားကြီးမားစွာနှင့်အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်သော porosity နှင့်အတူမြင့်မားသောအစွမ်းသတ္တိနှင့်အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေသည်။

အဓိကဂုဏ်သတ္တိများနှင့်အားသာချက်များ

- စွမ်းအင်ထိရောက်မှု - နိဂုံးချုပ်အပူချိန်လျှော့ချခြင်းနှင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချခြင်းသို့တိုက်ရိုက်ဘာသာပြန်ဆိုခြင်း။

- ပတ် 0 န်းကျင်ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲမှု - စိုက်ပျိုးရေးအမှိုက်များနှင့်သဘာဝဓာတ်သင်းလုပ်ငန်းများအားကုန်ကြမ်းများအဖြစ်အသုံးပြုခြင်းသည်မြို့ပတ်ရထားစီးပွားရေးအခြေခံမူများကိုထောက်ပံ့ပေးပြီးပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာသက်ရောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်။

- တိုးမြှင့်ပစ္စည်းများထိန်းချုပ်မှု - အပူချိန်နည်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် nanostructured, porous သို့မဟုတ် hollow sic ထုတ်ကုန်များကိုစိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်သည်။

- အထိခိုက်မခံသောကိရိယာများနှင့်လိုက်ဖက်ညီမှု - အပူချိန်နိမ့်သောနည်းလမ်းများသည်အဆင့်မြင့်အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် Mems Device များ၏လုပ်ကြံများနှင့်သဟဇာတဖြစ်သည်။

- နည်းပညာနှင့်အပူဂုဏ်သတ္တိများတိုးတက်လာသော SIC သည်အပူချိန်နိမ့်ပိုင်းတွင်ထုတ်လုပ်သော SEC ထုတ်လုပ်မှုကိုတိုးမြှင့်ခြင်း,

စက်မှု applications များ

Metallurgy နှင့် smelting

အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်သည် deoxidizer နှင့် ferrous မဟုတ်သောသတ္တုများအရည်ပျော်သောသတ္တုစပ်အနေဖြင့်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသောအပူစီးကူးခြင်းနှင့်ဓာတုတည်ငြိမ်မှုသည်မီးဖို၏ထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေပြီးသတ္တုပစ္စည်းများတွင်အညစ်အကြေးများကိုလျှော့ချပေးသည်။ စျေးသိပ်မကြီးတဲ့ရှေ့ပြေးတွေကနေအပူချိန်နိမ့်တဲ့နည်းတွေနဲ့ SicTTHESTIVE လုပ်ခြင်းဟာအကြီးစားသတ္တုစပ်စစ်ဆင်ရေးတွေအတွက်အထူးဆွဲဆောင်မှုရှိတယ်။

SIC သည်မီးဖိုများနှင့်မီးဖိုများ၌ဆန့်ကျင်ဘက်ပစ္စည်းများအဖြစ် 0 န်ဆောင်မှုပေးသည်။ အပူချိန်နိမ့်သော sic refractories ၏အသုံးပြုမှုသည်သတ္တုဗေဒလုပ်ငန်းစဉ်များ၏စွမ်းအင်ခြေရာကိုပိုမိုလျော့နည်းစေနိုင်သည်။

ပဒေသရာများနှင့် polishing

Silicon Carbide ၏ထူးခြားသောကြိုးပမ်းမှုသည်ဖန်ခွက်, ကြွေထည်များနှင့်ဆီမီးကွန်ဒတ်စ်ကဲ့သို့သောခက်ခဲသောပစ္စည်းများကိုကြိတ်ခွဲခြင်း, အပူချိန်နိမ့်ထုတ်လုပ်မှုနည်းစနစ်များသည်စင်ကြယ်သောအမှုန်အရွယ်အစားဖြန့်ဖြူးခြင်းနှင့်အတူကောင်းမွန်စွာလုပ်နိုင်သည့်စွမ်းရည်များနှင့် microgrits များ,

နိမ့်သောအပူချိန်နိမ့်ဆုံးသောအပူချိန်နှင့်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုသည်သာလွန်သောမျက်နှာပြင်မှဖြည့်စွက်ခြင်းနှင့်ကိရိယာတန်ဆာပလာများထုတ်လုပ်ခြင်း,

အီလက်ထရောနစ်နှင့် semiconductors

အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်သည်အီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းတွင်ဂိမ်းပြောင်းလဲခြင်းဖြစ်သည်။ မြင့်မားသော voltages နှင့်အပူချိန်မြင့်မားမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိရန်စွမ်းရည်သည်လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားများ, အာရုံခံကိရိယာများနှင့်ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသောကိရိယာများအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ နိမ့်သောအပူချိန် Wafer Bonding နှင့်အစစ်ခံနည်းစနစ်များသည် Sic ၏ပေါင်းစပ်မှုနည်းစနစ်များသို့အဆိုးရှားဆုံးထုတ်ကုန်များကိုမပျက်စီးစေဘဲအဆင့်မြင့်ကိရိယာများဖြင့်ပေါင်းစပ်ခြင်း,

SIC ၏ကျယ်ပြန့်သော bandgap, High Electron Mobility နှင့် Superire Solfaction သည်လျှပ်စစ်ကားများ, အပူချိန်နိမ့်ဖြစ်စဉ်များသည် Sic-on-silicon heterostructs ထုတ်လုပ်မှုကိုအထောက်အကူပြုသည်။

စွမ်းအင်နှင့်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ application များ

1 ။ Wave- စုပ်ယူပစ္စည်းများ

နိမ့်သောအပူချိန်နိမ့်ပိုင်းတွင်ထုတ်လုပ်သော SIC သည်ခိုင်မာသောလျှပ်စစ်သံလိုက်လှိုင်းစုပ်ယူချက်များကိုပြသပြီးကိုယ်ပျောက်နည်းပညာ, ၎င်း၏ပေါ့ပါးပြီးညှိနှိုင်းဖွဲ့စည်းပုံသည်တိကျသောကြိမ်နှုန်းကိုစုပ်ယူနိုင်သည့်ပစ္စည်းများဒီဇိုင်းကိုခွင့်ပြုသည်။

2 ။ ရေကုသမှုနှင့် filtration

Mesoporous နှင့် Hollo Sic ဖွဲ့စည်းပုံများသည်အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုများနှင့်ရေခဲသတ္တုများကိုဖယ်ရှားရန်အလွန်အမင်းထိရောက်သောစုပ်ယူမှုများနှင့်ဖိအားပေးခံရသည့်မီဒီယာများဖြစ်သည်။ သူတို့၏ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာအသေးအဖွဲစွမ်းရည်နှင့်မြင့်မားသောမျက်နှာပြင် area ရိယာသည်ရေရှည်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ပြန်လည်အသုံးပြုမှုကိုသေချာစေသည်။

3 ။ Catalysis နှင့်ဓာတ်ငွေ့အာရုံစူးစိုက်မှု

နိမ့်သောအပူချိန်နိမ့်ပိုင်းတွင်ထုတ်လုပ်သည့် nanostructured SIC သည်ဓာတုဗေဒလုပ်ငန်းနှင့်လေသန့်ရေးတွင်ဓာတ်ကူပစ္စည်းအတွက်ကြံ့ခိုင်သောအထောက်အပံ့များဖြစ်သည်။ အဆိပ်သင့်ခြင်းနှင့်အပူ 0 င်ရောက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည်ဓာတ်ကူပစ္စည်းဘဝကိုတိုးချဲ့ပြီးလုပ်ငန်းစဉ်ထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေသည်။ ထို့အပြင် Sic ၏လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများသည်ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်လည်ပတ်နေသောဓာတ်ငွေ့အာရုံခံကိရိယာများအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

အဆင့်မြင့်ကြွေထည်များနှင့် composites

နိမ့်သောအပူချိန် sintering ser sic ကြွေထည်များနှင့်အမျှင်ဓာတ်များပြားခြင်းနှင့်ဖိုင်ဘာအများအားဖြင့်သိပ်သည်းမှုနည်းပါးခြင်းနှင့်ကောင်းမွန်သောအပူချိန်မြင့်မားသောခံနိုင်ရည်ရှိသည့် fiber-conforced composites များကိုဖန်တီးနိုင်သည်။ ဤပစ္စည်းများသည် Aerospace, Automotive နှင့်စွမ်းအင်နှင့်စွမ်းအင်ကဏ် sectors များတွင်အလွန်အရေးကြီးသည်။

အပူချိန်နိမ့်သော SIC ဖွဲ့စည်းမှု, ပေါ့ပါးသောဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာဒီဇိုင်းများနှင့်အဆင့်မြင့်အားကစားပစ္စည်းများတွင်အသုံးပြုသည်။

စစ်ရေးနှင့်ကာကွယ်ရေး application များ

Silicon Carbide ၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများသည်၎င်းကိုစစ်ရေးနှင့်ကာကွယ်ရေးအသုံးချပရိုဂရမ်များတွင်အရေးပါသောအကြောင်းအရာတစ်ခုဖြစ်စေသည်။ အလေးချိန်လျော့နည်းသွားစေပြီးအလေးချိန်လျော့နည်းသွားသည့်ဘောသီးခြိမ်းခြောက်မှုများကိုပိုမိုကောင်းမွန်သောကာကွယ်မှုကိုကာကွယ်ရန်အတွက်ပေါ့ပါးသောသံချပ်ကာထုတ်လုပ်မှုတွင်အပူချိန်နိမ့်သော SIC ကိုအသုံးပြုသည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့်အပူကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည်ဒုံးကျည်နှာခေါင်းကန့်နှင့်အနီအောက်ရောင်ခြည်ပြတင်းပေါက်များတွင်အသုံးပြုရန်သင့်တော်သည်။

Sic-based ceramitics နှင့် composites များသည်အဆင့်မြင့်လက်နက်စနစ်များ, ရေဒါအစိတ်အပိုင်းများနှင့်ကိုယ်ပျောက်နည်းပညာများတွင်သူတို့၏ကြာရှည်ခံနိုင်မှုနှင့်လျှပ်စစ်သံလိုက်ဂုဏ်သတ္တိများသည်မဟာဗျူဟာမြောက်အားသာချက်ကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။

ဆောက်လုပ်ရေးနှင့်ဆောက်လုပ်ရေးပစ္စည်းများ

အပူချိန်နိမ့်ခြင်းဆီလီကွန်ကာလက်သည်ဆောက်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းတွင်လျှောက်လွှာအသစ်များကိုရှာဖွေနေသည်။ ၎င်း၏ကြာရှည်ခံမှု, ပွန်းပဲ့မှုခံနိုင်ရည်နှင့်အပူတည်ငြိမ်မှုသည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောကွန်ကရစ်, Sic-Enhanced ဆောက်လုပ်ရေးပစ္စည်းများသည် 0 တ်ဆင်ခြင်းခံနေရခြင်း,

ထို့အပြင် posuous Sic ကြွေထည်များကိုအဆောက်အအုံများတွင် insulator နှင့်မီးသတ်ဆေးများကိုမီး 0 င်ခြင်းနှင့်စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။

ဖြစ်ရပ်မှန်လေ့လာမှုများနှင့်ထွန်းသစ်စခေတ်ရေစီးကြောင်း

စိုက်ပျိုးရေးစွန့်ပစ်ပစ္စည်းမှရေရှည်တည်တံ့သော SIC

0 တ်ထုများသည်ဆန်ဆန်ခွံများနှင့်စတုရန်းများကိုကုန်ကြမ်းများအဖြစ်အသုံးပြုသည်။ ရရှိလာသော sius သည်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီးသဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့်သဘာ 0 ပတ် 0 န်းကျင်နှင့်သဘာ 0 ပတ် 0 န်းကျင်နှင့်အတူပါ 0 င်သည့် application များ,

လေကြောင်းပစ္စည်းများအတွက်အလျင်အမြန်ဏ Microwave ပေါင်းစပ်

NASA ၏ Microwave-Assisted Sic Fib CIS ထုတ်လုပ်မှု sic fib fiber ထုတ်လုပ်မှုကို 1000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိပြုပြင်ခြင်းနှင့်အလွန်အမင်းတန်ဖိုးရှိသောလေအေးပေးစက်များကိုပြန်လည်ပြုပြင်ခြင်းကိုလျှော့ချခြင်းနှင့်အလွန်အမင်းပတ်ဝန်းကျင်တွင်တိုးချဲ့ခြင်းကိုချဲ့ထွင်ခြင်းနှင့်ပြန်လည်အသုံးပြုခြင်းကိုလျှော့ချသည်။

catalysis နှင့်အာရုံများအတွက် nanostraftructure sig

နိမ့်သောအပူချိန်နည်းသောနည်းလမ်းများ SIC Nanowires, nanotubes နှင့် hollow spheres များနှင့်ဆွန်းနယ်ပယ်များ,

ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များသို့ပေါင်းစည်းမှု

Silicon Carbide ၏သာလွန်ကောင်းမွန်သောလျှပ်စစ်နှင့်အပူဂုဏ်သတ္တိများသည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးအတွက်ဘူတာရုံတာဘိုင်အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့်ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များကိုလက်ခံကျင့်သုံးခြင်းအတွက်မောင်းနှင်နေသည်။ အပူချိန်နိမ့်ထုတ်လုပ်မှုနည်းစနစ်များသည်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်အခြေခံအဆောက်အအုံများအတွက်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည့်ထုတ်လုပ်မှုကိုအထောက်အကူပြုသည်။

စမတ်ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် 3D ပုံနှိပ်ခြင်း

SIC ကြွင်းအစုရှယ်ယာများ၏ 3D ပုံနှိပ်ခြင်းကဲ့သို့သောပိုမိုကောင်းမွန်သောထပ်တလဲလဲထုတ်လုပ်မှုနည်းစနစ်များ, ၎င်းသည်စက်မှု, ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနှင့်သုတေသနအပလီကေးရှင်းများအတွက်ရှုပ်ထွေးသော,

စိန်ခေါ်မှုများနှင့်အနာဂတ်အလားအလာ

အားသာချက်များစွာရှိသော်လည်းအပူချိန်နိမ့်ကျသော silicon carbide ထုတ်လုပ်မှုကိုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုခြင်းသည်စိန်ခေါ်မှုများစွာရှိသည်။

- Scale-up နှင့် Process Control: စက်မှုစကေးရှိတသမတ်တည်းအရည်အသွေးနှင့်ဂုဏ်သတ္တိများရရှိခြင်းသည်တုန့်ပြန်မှုအခြေအနေနှင့်ကုန်ကြမ်းသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုများကိုတိကျသောထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်သည်။

- 0 န်ဆောင်မှုများနှင့်ရှေ့ပြေးများအတွက်ကုန်ကျစရိတ်များ - စိုက်ပျိုးရေးစွန့်ပစ်ပစ္စည်းနှင့်အခြားသတ္တုဓာတ်များကိုလျှော့ချနိုင်သော်လည်းအထူး Sintering AIDS သို့မဟုတ် High-Purments AIDS သို့မဟုတ် purments advies များလိုအပ်ခြင်းသည်ငွေစုအချို့ကိုချိန်ညှိနိုင်သည်။

- လက်ရှိကုန်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများနှင့်ပေါင်းစည်းခြင်း - အပူပိုင်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းများအားပြန်လည်ထူထောင်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်များလိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ရန်ရိုးရာထုတ်လုပ်မှုအဆောက်အအုံများကိုပြန်လည်ထူထောင်ရေးလုပ်ငန်းများအတွက်ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုနည်းပါးစေရန်အတွက်သိသာထင်ရှားသည့်ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုနှင့်နည်းပညာဆိုင်ရာကျွမ်းကျင်မှုများလိုအပ်သည်။

- ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်အကောင်းမြင်ခြင်း - Parameterse Microstructrodructure နှင့်နောက်ဆုံးဂုဏ်သတ္တိများအကြားဆက်နွယ်မှုများကိုအပြည့်အဝနားလည်ရန်ဆက်လက်သုတေသနပြုရန်လိုအပ်သည်။

ရှေ့သို့ရှာဖွေခြင်းသည်အပူချိန်နိမ့်သောအပူချိန်နိမ့်ခြင်းဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်ထုတ်လုပ်မှုကိုစက်မှုလုပ်ငန်းများစွာတွင်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကိုမောင်းနှင်ရန်မျှော်လင့်ရသည်။ ပေါင်းစပ်ပေါင်းစပ်နည်းစနစ်အသစ်များ, တိုးတက်လာသောလုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်မှုနှင့်ကုန်ကြမ်းကုန်ကြမ်းဆိုင်ရာအရင်းအမြစ်များကိုတိုးချဲ့ထားသောကုန်ကြမ်းဆိုင်ရာအရင်းအမြစ်များကိုတိုးမြှင့်ခြင်းနှင့်ဖွဲ့စည်းခြင်းသည်ခေတ်သစ်စက်မှုနည်းပညာ၏အခြေခံအားဖြင့်ခိုင်မာအောင်ပြုလုပ်နိုင်သည်။

ကောက်ချက်

အပူချိန်နိမ့်ကျသောအပူချိန်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်ထုတ်လုပ်မှုသည်၎င်း၏စက်မှုအသုံးချပရိုဂရမ်များကိုပြောင်းလဲစေခဲ့သည်။ စွမ်းအင်လိုအပ်ချက်များကိုလျှော့ချခြင်းဖြင့်ရေရှည်တည်တံ့သောကုန်ကြမ်းများကိုအသုံးပြုခြင်းအားဖြင့်, ဤနည်းစနစ်များကိုသုတေသနပြုခြင်းနှင့် 0 တ်စုံ morphologies အသစ်များကိုရှာဖွေတွေ့ရှိခြင်းနှင့် 0 င်ရောက်ခြင်းကိုရှာဖွေတွေ့ရှိခြင်းအတိုင်းစက်မှုရှုခင်းများသည်အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထက်တွင်ပိုမိုအကျိုးကျေးဇူးရရှိလိမ့်မည်။ ဆီလီကွန်ကာဘက်၏အနာဂတ်သည်ခေတ်သစ်စက်မှုလုပ်ငန်း၏တိုးတက်ပြောင်းလဲမှုများကိုပြည့်မီစေရန်အလိုက်သင့်ပြောင်းလဲခြင်း,

အမြဲမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

1 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထုတ်လုပ်မှု၏အဓိကအားသာချက်များမှာအဘယ်နည်း။

အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်ထုတ်လုပ်မှုသည်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုလျော့နည်းစေသည်။ ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲသောကုန်ကြမ်းများအသုံးပြုခြင်းကိုခွင့်ပြုသည်။

2 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်သည်အီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းကိုမည်သို့အကျိုးပြုသနည်း။

အပူချိန်နိမ့်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်သည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောဘတ်ဂျက်များ,

3 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာဘန်းပေါင်းစပ်မှုအတွက်မည်သည့်ကုန်ကြမ်းအမျိုးအစားများကိုအသုံးပြုနိုင်သနည်း။

silica နှင့် Carbon ကြွယ်ဝသောရှန်းနှင့်ကာဗွန်မြို့ပြဆင်းရဲသောမွေးမြူရေးစွန့်ပစ်ပစ္စည်းကဲ့သို့သောသဘာဝဓာတ်သတ္တုများကိုစာကြီးများနှင့်ကာဗွန်အဖြစ်အသုံးပြုနိုင်သည်။

4 ။ အပူချိန်နိမ့်သော silicon carbide ကို အသုံးပြု. အဓိကစက်မှုလုပ်ငန်းကဏ် sectors များသည်အဘယ်နည်း။

အဓိကကဏ် sectors များတွင်သတ္တု, ပဒေသရာပင်များ, အီလက်ထရောနစ်, သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နည်းပညာ, အဆင့်မြင့်ကြွေထည်, SIC ကိုအရည်ကျိုခြင်း, ပိုလီစီယံထုတ်ကုန်များ, ရေသန့်စင်ခြင်း, စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှု, သံချပ်ကာများနှင့်ဆောက်လုပ်ရေးပစ္စည်းများ

5 ။ အပူချိန်နိမ့်သောဆီလီကွန်ကာလက်သည်ပတ် 0 န်းကျင်ဆိုင်ရာ application များအတွက်အသုံးပြုနိုင်ပါသလား။

အပူချိန်နိမ့်ပိုင်းတွင်ထုတ်လုပ်သောအပူချိန်, စွန့်ပစ်ပစ္စည်းဖယ်ရှားခြင်းနှင့်လျှပ်စစ်သံလိုက်ဖယ်ရှားခြင်းနှင့်လျှပ်စစ်သံလိုက်လှိုင်းစုပ်ယူမှုများအတွက်အလွန်ထိရောက်စွာထိရောက်မှုရှိသည်။